대부업등록협회 정연식 교수는 "인화갈륨은 전자가 간접 경로로 에너지 레벨을 바꾸는 밴드갭 구조로 인해 발광 소재로는 활용도가 낮았다"며 "수십년 간 아무도 못하던 연구결과"라고 설명했다. 정 교수는 "직접전이밴드갭을 구현하기 위해서는 1나노미터 미만의 밴드갭을 만들어야 하는데, 이를 만들지 못해 실험적 증명 조차도 어려웠다"고 부 직장인 전세자금대출 연 설명했다. 연구팀은 일반적인 초미세 반도체 입자(퀀텀닷)와는 다른 접근법인 퀀텀셀(얇은 껍질)로 인화갈륨 직접 전이 밴드갭 전환을 구현하는데 성공했다. 반도체 분야에서 사용되는 원자층증착법과 에피텍셜 성장의 원리를 콜로이달 합성에 접목하는 방법으로 화화아연 나노결정 위에 단일원자층 갭을 성장시켜 퀀텀셸을 만들어냈다. 구리암사대교
황화아연 나노결정을 기반으로 성장한 단층의 인화갈륨 (ZnS/GaP 퀀텀셸) 구조 및 사진. 연구팀이 단층 합성으로 직접 밴드갭으로의 전환에 성공, 45.4%의 높은 효율을 달성했다.(그래픽=한국연구재단)
에피텍셜은 배당주펀드 기존 물질 표면에 원하는 물질을 성장시키는 방법이다. 정 교수는 "연구결과 45.4%의 높은 효율로 보라색 빛을 강하게 방출하는 특성을 확인했다"며 "별도의 보호층 없이도 200일 이상 발광 효율 감소 없이 우수한 성능이 유지되는 높은 안정성을 보였다"고 말했다. 정 교수는 또 "차세대 화합물 반도체 분야 및 광전자, 생활비 광학 분야에서 많은 응용이 가능할 것"으로 기대했다. 연구결과는 국제학술지 ‘네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)’(9월16일)에 게재됐다. 박희범 기자(hbpark@zdnet.co.kr)
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